TF1010 Powdwr Nanotiwb Carbon Un Wal

TF1010 is an electronic-grade ultra-high-purity single-walled carbon nanotube powder prepared by Shandong Tanfeng using super-growth CVD coupled with multi-stage high-temperature deep purification and targeted catalytic impurity removal processes. It is the highest-purity model in the entire single-walled product line, forming a clear gradient distinction from the TF1000 basic single-walled type. The tube diameter is precisely controlled within a narrow distribution range of 1.5–1.7 nm, the pristine carbon tube length is >100 μm, the Raman G/D ratio is >50, ac mae diffygion carbon amorffaidd wal y tiwb yn hynod o isel. Y dangosydd gwahaniaethol craidd: mae purdeb effeithiol tiwbiau carbon un wal yn fwy na neu'n hafal i 98.5%, sy'n sylweddol uwch na phurdeb TF1000 o 80%. Mae lludw metel yn cael ei reoli gan raddiant o fewn y lefel can-ppm, mae amhureddau gweddilliol catalydd yn cael eu lleihau'n fawr, gan osgoi gollyngiadau dyfais lled-ddargludyddion, adweithiau ochr batri, a synhwyro problemau drifft signal.

Mae strwythur tiwbaidd di-dor graphene un haen yn cyfuno dargludiad electronau balistig, hydwythedd uwch-uchel, ac arwynebedd arwyneb penodol iawn (500-1000 m²/g). Gall y swm adio trylifiad fod mor isel â 0.03% i ffurfio rhwydwaith dargludol parth llawn, sy'n addas ar gyfer 7 nm ac islaw transistorau ffilm tenau proses uwch, cylchedau rhesymeg hyblyg, anodau silicon-carbon purdeb uchel, cysgodi ysgafn milwrol ac awyrofod, biosynhwyro olrhain hynod sensitif, a senarios llym eraill.

Mae gan y ffatri set lawn o offer profi pwrpasol deunydd purdeb uchel gan gynnwys TEM cydraniad uchel, sbectrosgopeg Raman, thermogravimetreg TGA, ac ICP-OES. Mae pob swp yn cael set lawn o adroddiadau profi arbennig ar gynnwys un wal, amhureddau metel, diamedr tiwb, a hyd. Dim ond samplau purdeb uchel lefel gram a sypiau peilot lefel cilogram a ddarperir i sefydliadau ymchwil, mentrau lled-ddargludyddion, a chynhyrchwyr batri cyflwr solet blaenllaw. Gellir addasu powdrau purdeb uchel wedi'u haddasu gyda grwpiau amino a charboxyl i addasu i wasgariad dŵr / toddyddion organig. Mae set lawn o adroddiadau arbennig RoHS, REACH, amhuredd ICP purdeb uchel, a thaflenni data diogelwch MSDS wedi'u cwblhau, gan fodloni'r safonau archwilio derbyn deunydd llym ar gyfer mewnforio ac allforio milwrol a lled-ddargludyddion.

Pecynnu: Bagiau gwactod ffoil alwminiwm, bagiau cyfansawdd AG, bagiau tunnell, y gellir eu haddasu

Yn 2022, buddsoddodd y cwmni 50 miliwn o RMB i sefydlu "Shandong Tanfeng New Materials Technology Co, Ltd." yn Heze, Talaith Shandong, gydag ardal adeiladu o 4,000 metr sgwâr. Mae bellach yn fenter uwch-dechnoleg genedlaethol gyda dros ddeg o batentau annibynnol.

Bwriedir adeiladu canolfan gynhyrchu ac ymchwil a datblygu ail gam yn 2027. Mae'r cwmni wedi pasio ardystiad system ansawdd rhyngwladol ISO9001 ac wedi ffurfio canolfan gweithgynhyrchu nanomaterial uwch a gwasanaeth technegol sy'n cwmpasu'r broses gyfan o weithredu, ymchwil a datblygu, cynhyrchu peilot, a gweithgynhyrchu. Ar hyn o bryd, mae'n meddu ar linellau cynhyrchu cyflawn ar gyfer powdr nanotiwb carbon, slyri nanotiwb carbon, masterbatch nanotiwb carbon, ffibr nanotiwb carbon, a ffilm nanotiwb carbon.

Mae gennym brofi ac ardystio proffesiynol. Ar gyfer nanotiwbiau carbon gwirioneddol nanoscale, mae Tanfeng Technology yn darparu data nodweddu ar gyfer modelau amrywiol, megis delweddau SEM, delweddau AFM, delweddau HRTEM, sbectrosgopeg Raman, a phatrymau diffreithiant powdr pelydr-X.

Purdeb un wal Yn fwy na neu'n hafal i 98.5%, amhuredd hynod o isel a chynnwys tiwb amrywiol, gan addasu i ofynion cymhareb dyfais lled-ddargludyddion ymlaen / i ffwrdd

O'i gymharu â phurdeb un wal TF1000 o ddim ond 80%, mae TF1010 yn tynnu tiwbiau carbon aml-wal a gronynnau carbon amorffaidd trwy buro aml-gam, gydag amhureddau cam amrywiol yn cyfrif am lai na 1.5%. Pan gaiff ei ddefnyddio mewn transistorau effaith maes ffilm denau, mae cymhareb y ddyfais ymlaen / i ffwrdd yn cynyddu fwy na 10 gwaith, heb unrhyw ollyngiad nac ystumiad signal a achosir gan diwbiau metelaidd amrywiol, gan addasu i ymchwil a datblygiad 7 nm ac is na chylchedau integredig uwch sy'n seiliedig ar garbon.

Tair gradd o ludw metel uwch-isel ar gael, yn llwyr ddatrys problem methiant mudo ïon metel hybrin

Yn darparu tair manyleb lludw:<100 ppm / <500 ppm / <2000 ppm. Military and semiconductor chips can choose the ultra-pure grade within 100 ppm. Eliminates catalyst metal residue precipitating during device energization, avoiding wafer short circuits, continuous solid-state battery side reactions, and sensor baseline drift.

1.5–1.7 nm narrow tube diameter distribution + >100 μm tiwbiau pristine ultra-hir, llenwi hynod o isel heb rwystro trosglwyddiad golau

Cymhareb agwedd uwch-uchel lefel deg mil, swm ychwanegiad dargludol mor isel â 0.03%, gostyngodd dos llenwi 30% arall o'i gymharu â TF1000 ar gyfer yr un effaith dargludol. Mae diamedr tiwb yn llawer llai na thonfedd golau gweladwy, gan baratoi ffilmiau dargludol tryloyw heb unrhyw niwl a thrawsyriant uchel, gan addasu i gynhyrchu màs sgriniau plygadwy ac electrodau tryloyw ffotofoltäig.

Ultra-high crystallinity G/D >50, ychydig iawn o ddiffygion strwythurol wal tiwb, mwyhau sefydlogrwydd beiciau electrocemegol

Mae waliau tiwb graphene diffyg isel yn lleihau adweithiau ochr rhyngwyneb electrolyte. Pan gânt eu defnyddio mewn anodau silicon-carbon a batris cyflwr solet, gallant atal tewychu ffilm SEI parhaus yn fawr, gyda bywyd cylchred y gell wedi gwella gan fwy na 35% o'i gymharu â TF1000 wal sengl sylfaenol, gan addasu i batris pŵer cerbydau teithwyr uchel diwedd hir.

Yn gallu gwahanu tiwbiau carbon un wal lled-ddargludol yn gyfeiriadol, swbstrad craidd ar gyfer sglodion hyblyg pŵer isel

Mae deunyddiau crai wal sengl pristine purdeb uchel yn hwyluso gwahanu centrifugation graddiant dwysedd dilynol, gan gynhyrchu cyfran uchel o nanotiwbiau carbon un wal lled-ddargludol gyda symudedd cludwr uchel a defnydd pŵer dyfais isel iawn, gan eu gwneud yn ddeunyddiau crai craidd ar gyfer cylchedau rhesymeg pŵer isel hyblyg cenhedlaeth nesaf a sglodion synhwyro micro.

Arwynebedd penodol iawn iawn 500–1000 m²/g, dal moleciwlau hybrin tra-sensitifrwydd uchel

Safleoedd actif electrocemegol enfawr, gyda gallu arsugniad ac adnabod ar gyfer nwyon, proteinau biolegol, ac olrhain moleciwlau metel trwm sy'n llawer uwch na TF1000, gan addasu i fiosynwyryddion diagnostig meddygol a chwilwyr canfod llygryddion hybrin amgylcheddol.

System purdeb uchel sy'n cydymffurfio'n llawn â milwrol ac awyrofod, atgyfnerthiad strwythurol integredig dargludol ysgafn a dargludol thermol

Mae fformwleiddiadau amhuredd isel, nad ydynt yn waddodi yn cwrdd â safonau derbyn cydrannau electronig awyrofod a milwrol. Gall llenwi hynod o isel gyflawni effeithiau triphlyg dargludedd parhaol, cysgodi electromagnetig, ac atgyfnerthu strwythurol, gan leihau hunan-bwysau cydrannau lloeren ac awyrennau yn fawr.

1. Proses Uwch Lled-ddargludyddion Carbon-Seiliedig, Transistorau Maes-Effaith Ffilm Tenau

Cylchedau integredig proses 7 nm ac is, sglodion rhesymeg hyblyg, cylchedau synhwyro pŵer isel micro; mae purdeb un wal uwch-uchel yn sicrhau cymhareb ar/off transistor uchel a gollyngiadau isel, gan ddisodli deunyddiau traddodiadol sy'n seiliedig ar silicon ar gyfer ymchwil a datblygu micro-nano electroneg ar ôl cyfnod Moore.

2. Milwrol/Awyrofod Ultra-Uchel-Purdeb Ysgafn Dargludol Deunyddiau Cyfansawdd cysgodi

Amgaeadau cysgodi electromagnetig ysgafn lloeren, gwasgariad gwres awyrennau a phaneli integredig dargludol, electrodau dyfais storio ynni milwrol; mae amhureddau metel isel yn bodloni safonau gweithredu sefydlog ar-orbit hirdymor cydrannau milwrol.

3. Anodes Silicon-Carbon Uchel-Diwedd, Batris Pŵer Cyfan-Solid-Wladwriaeth sylffid

Ychwanegion dargludol sy'n ymroddedig i anodau silicon-carbon ar gyfer electroneg defnyddwyr pen uchel a batris pŵer cerbydau teithwyr ystod hir; amhureddau uwch-isel yn atal hunan-ollwng celloedd, tiwbiau carbon ultra-hir clustogi ehangu cyfaint gronynnau silicon, gan ymestyn bywyd beicio yn fawr.

4. Ffilmiau Dargludol Hyblyg Tryloyw Uchel Trosglwyddo, Paneli Arddangos OLED Plygadwy

Disodli ocsid tun indium ITO prin, paratoi ffilmiau dargludol trawsyrru uchel di-ni, addasu i sgriniau cyffwrdd plygadwy, electrodau ECG meddygol gwisgadwy, a chasglwyr cerrynt tryloyw celloedd ffotofoltäig, gyda gwanhad gwrthiant o dan 3% ar ôl mil o droadau.

5. Synwyryddion Trace Biolegol ac Amgylcheddol Ultra-High-Drachywiredd

Synwyryddion canfod protein meddygol, canfod nwyon hybrin atmosfferig, stilwyr monitro metel trwm olrhain dŵr; Mae arwynebedd arwyneb penodol uwch-fawr yn galluogi adnabyddiaeth moleciwl olrhain lefel ppb, gyda sensitifrwydd canfod sy'n well na TF1000 un wal sylfaenol.

6. Prosiectau Ymchwil Nanomaterial Ultra-High-Purity Frontier University

Samplau purdeb uchel sy'n ymroddedig i ymchwil a datblygu labordy manwl uchel megis gwahanu cirality wal sengl lled-ddargludyddion, mecanweithiau sglodion carbon uwch, mecanweithiau cylchred hir batri cyflwr solet, a deunyddiau cyfansawdd ysgafn awyrofod.

C1: Beth yw'r gwahaniaethau dethol craidd rhwng TF1010 wal sengl ultra-uchel-purdeb a TF1000 wal sengl sylfaenol, a sut ddylai sglodion lled-ddargludyddion ddewis?

A: Mae purdeb un wal TF1000 yn fwy na neu'n hafal i 80% yn unig, sy'n addas ar gyfer anodau silicon-carbon, ffilmiau dargludol hyblyg cyffredin, ac ymchwil a datblygu sylfaenol labordy confensiynol; Mae purdeb un wal TF1010 yn fwy na neu'n hafal i 98.5%, gyda lludw metel mor isel ag o fewn 100 ppm, ac ychydig iawn o diwbiau amrywiol ac amhureddau carbon amorffaidd, yn benodol ar gyfer cylchedau integredig lled-ddargludyddion, milwrol ac awyrofod, biosynhwyro manwl-uchel, uchel diwedd cyflwr solet batris, a senarios goddefgarwch sero eraill; ar gyfer dyfais sefydlogrwydd uchel, gollyngiadau isel, a chylchoedd hir, rhaid dewis TF1010.

C2: Pa senarios y mae tair manyleb lludw TF1010 yn addasu iddynt yn y drefn honno?

A: <100 ppm (military/semiconductor chip highest grade), <500 ppm (high-end solid-state batteries, medical sensors), <2000 ppm (high-end silicon-carbon anodes, commercial flexible screens), freely selectable according to downstream product impurity admission standards.

C3: TF1010 purdeb wal sengl o 98.5%, faint o welliant y mae'n ei ddod â chymhareb ar/oddi ar y transistor?

A: Gan fod TF1000 yn cynnwys llawer iawn o diwbiau amrywiol aml-waliau, dim ond 10³–10⁴ yw cymhareb y transistor ymlaen/i ffwrdd; Ychydig iawn o amhureddau cam amrywiol sydd gan TF1010, ac ar ôl gwahanu, gall dyfais tiwb carbon lled-ddargludol ymlaen / i ffwrdd gyrraedd uwch na 10⁷, gan fodloni gofynion perfformiad sglodion proses uwch.

C4: Pan ddefnyddir TF1010 mewn batris cyflwr solet, faint y gellir lleihau hunan-ollwng celloedd o'i gymharu â TF1000?

A: TF1010 amhureddau catalytig metel yn cael eu lleihau'n fawr, cyflwr solet-cyflwr cell ystafell storio-tymheredd gwanhau capasiti yn cael ei leihau gan 40%, a bywyd beicio yn cael ei wella gan 35%, addasu i beilot masgynhyrchu batris cyflwr solet-ystod hir ar gyfer automakers.

C5: A yw powdr TF1010 yn anodd ei wasgaru, ac a all addasu i lithograffeg cynnal lled-ddargludyddion slyri?

A: Gellir addasu powdr TF1010 wedi'i addasu'n uchel-purdeb amino, gan addasu i wasgariad toddyddion organig amhuredd isel ymroddedig i lithograffeg, heb unrhyw waddodiad metel hybrin yn halogi wafferi; gall ein cwmni ddarparu atebion proses wasgaru purdeb uchel-cneifio isel.

C6: Ar gyfer prosiectau milwrol a lled-ddargludyddion allforio, a all TF1010 gyhoeddi adroddiadau profi amhuredd metel purdeb arbennig?

A: Mae pob swp yn cael dalen profi lludw purdeb uchel annibynnol ICP-OES, sy'n labelu'n union gynnwys gweddilliol amrywiol fetelau catalydd. Mae set lawn o ddogfennau RoHS, REACH, ac MSDS wedi'u cwblhau, gan gwrdd ag archwiliadau trydydd parti ar gyfer deunyddiau mewnforio ac allforio milwrol a lled-ddargludyddion.

C7: Pa drosglwyddiad y gall TF1010 ei gyflawni wrth baratoi ffilmiau dargludol tryloyw? A oes problemau o berygl?

A: Trawsyriant ffilm Yn fwy na neu'n hafal i 90%, niwl<1%, far superior to TF1000 basic single-walled, with no film surface graying or uneven transmittance caused by miscellaneous tubes, adapting to mass production of high-end foldable display panels.

Tagiau poblogaidd: tf1010 powdr nanotiwb carbon un wal, Tsieina tf1010 un-wal carbon nanotiwb powdr gweithgynhyrchwyr, cyflenwyr, ffatri